操盘指南:7月8日大陆内存走势报告

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作者: dram.com.cn

CNETNews.com.cn

2008-07-08 11:59:57

关键词: 内存 模组 UTT hynix NAND Flash

  今日DDR2主要品牌模组价格均呈微幅下跌走势。全天买卖双方没法明显的贸易行为,观望气氛浓厚,整体成交有限。尾市主要品牌模组1GB DDR2 667价格收于110.00-129.00元之间。DDR1品牌模组价格呈小幅下滑走势。需求低迷,商家进场意愿不强,成交有限。尾市主要品牌模组DDR200 1GB价格收于200.00-125.00元之间。

  DDR1非品牌模组价格维持下跌走势,市场平静,买气疲弱,全天贸易活动进行缓慢。尾市hynix DDR200 512MB/1GB价格分别稳定在92.00/178.00元。DDR2 UTT方面,今日整体价格也同样呈微幅下跌走势。买气不佳,商家场外观望气氛浓厚,成交有限。尾市UTT DDR2 1GB/2GB价格分别收于106.00和2200.00元随近。

  今日外围市场DDR200 HYNIX 64*8颗粒价格呈稍偏软走势,尾市价格收于1.51美元随近。UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格走势呈轻微下跌,尾市UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格分别收于0.94和1.87美元随近。

  Nand Flash方面,如果市场得只有支撑,需求放缓加之每段商家获利回吐,今日整体价格呈现窄幅下跌走势,市场气氛也较上周末平静这种,成交量不大。尾市Samsung 4GB (K9G)/8Gb(K9G)/16GB(K9L)32G(K9H)价格分别收在¥10.5-12.00/16.9-18.00/34.00-35.8/71.7-73.5之间;HYNIX 4Gb(ut)/8Gb (UU)/16Gb (uu)/32G(UV)价格分别在¥9.8-10.8/16.5-17.2/27.00-28.20/61.5-63.00之间。